Почему вам стоит разгонять оперативную память (это легко!)
Любая программа на ПК использует для работы оперативную память, RAM. Ваша RAM работает на определённой скорости, заданной производителем, но несколько минут копания в BIOS могут вывести её за пределы стандартных спецификаций.
Да, скорость работы памяти имеет значение
Каждая запускаемая вами программа загружается в память с вашего SSD или жёсткого диска, скорость работы которых гораздо ниже, чем у памяти. После загрузки программа обычно остаётся в памяти некоторое время, и CPU получает к ней доступ по необходимости.
Улучшение скорости работы памяти может напрямую улучшить эффективность работы CPU в определённых ситуациях, хотя существует и точка насыщения, после которой CPU уже не в состоянии использовать память достаточно быстро. В повседневных задачах несколько дополнительных наносекунд не принесут вам особой пользы, но если вы занимаетесь обработкой больших массивов чисел, вам может помочь любое небольшое увеличение эффективности.
В играх скорость RAM может ощущаться гораздо сильнее. У каждого кадра есть только несколько миллисекунд на обработку кучи данных, поэтому если вы играете в игру, зависящую от скорости CPU (к примеру, CSGO), ускорение памяти может увеличить частоту кадров. Посмотрите на это измерение скорости от Linus Tech Tips:
Средняя частота кадров вырастает на несколько процентов с увеличением скорости RAM, когда большую часть работы делает CPU. Сильнее всего скорость памяти проявляется на минимальном показателе частоты; когда загрузка новой области или нового объекта должна произойти за один кадр, он будет прорисовываться дольше обычного, если будет ожидать загрузки данных в память. Это называется «микрозаикание», или «фриз», и игра может производить впечатление заторможенности даже при хороших показателях средней частоты кадров.
Разгонять память не страшно
Разгонять память совсем не так страшно, как разгонять CPU или GPU. Разгоняя CPU, вы должны следить за его охлаждением, за тем, справится ли охлаждение с увеличением частоты. Работать CPU или GPU могут гораздо громче, чем обычно [видимо, имеется в виду работа кулеров / прим. перев.].
Память не особенно перегревается, поэтому разгонять её довольно безопасно. Даже на нестабильных частотах худшее, что может произойти – это выявление ошибки при тесте на стабильность. Однако если вы проводите эти эксперименты на ноутбуке, вам нужно убедиться, что вы сможете очистить CMOS (восстановив настройки в BIOS по умолчанию), если что-то пойдёт не так.
Скорость, тайминги и CAS-латентность
Скорость работы памяти обычно измеряют в мегагерцах, МГц [так в оригинале; конечно, в герцах измеряют частоту, а частота влияет на скорость работы / прим. перев.]. Это мера тактовой частоты (сколько раз в секунду можно получить доступ в память), совпадающая с мерой скорости CPU. Стоковая частота DDR4 (современного типа памяти) обычно составляет 2133 МГц или 2400 МГц. Однако на самом деле это немного маркетинг: DDR обозначает «удвоенную скорость данных», то есть что память читает и пишет дважды за один такт. Так что на самом деле её скорость составляет 1200 МГц, или 2400 мегатактов в секунду.
Но большая часть DDR4 RAM работает на 3000 МГц, 3400 МГц или выше – благодаря XMP (Extreme Memory Profile). XMP, по сути, позволяет памяти сообщить системе: «Да, я знаю, что DDR4 должна поддерживать частоту до 2666 МГц, но почему бы тебе не ускорить меня?» Это ускорение из коробки, предварительно настроенное, проверенное и готовое к запуску. Оно достигается на уровне железа, при помощи чипа на памяти под названием Serial Presence Detect (SPD), поэтому на одну планку может быть только один профиль XMP:
У каждой планки памяти есть несколько встроенных вариантов тактовой частоты; стоковый вариант использует ту же самую систему SPD под названием JEDEC. Любая частота, превышающая скорость JEDEC, считается разгоном – то есть, XMP получается просто профилем JEDEC, разогнанным на заводе.
Тайминги RAM и CAS-латентность – два разных способа измерять скорость памяти. Они измеряют задержку (то, насколько быстро RAM реагирует на запросы). CAS-латентность – это мера того, сколько тактов проходит между командой READ, отправленной в память, и получением процессором ответа. Её обычно обозначают «CL» и указывают после частоты памяти, например: 3200 Mhz CL16.
Она обычно связана со скоростью работы памяти – чем больше скорость, тем больше CAS-латентность. Но CAS-латентность – лишь один из множества разных таймингов и таймеров, с которыми работает RAM; все остальные обычно просто называются таймингами памяти. Чем меньше тайминги, тем быстрее будет ваша память. Если вам захочется подробнее узнать о каждом из таймингов, прочитайте руководство от Gamers Nexus.
XMP не будет делать всё за вас
Вы можете купить планку памяти от G.Skill, Crucial или Corsair, но эти компании не производят сами чипы DDR4, лежащие в основе RAM. Они покупают чипы у фабрик, изготавливающих полупроводниковые устройства, что означает, что вся память на рынке происходит из небольшого количества главных точек: Samsung, Micron и Hynix.
Кроме того, модные планки памяти, которые помечаются как 4000 МГц и выше, и у которых заявлена низкая CAS-латентность, на самом деле не отличаются от «медленной» памяти, стоящей в два раза дешевле. Оба варианта используют чипы памяти Samsung B-die DDR4, просто у одного из них золотистый радиатор, цветные огоньки и украшенный стразами верх (да, это реально можно купить).
Приходя с фабрики, чипы подвергаются проверкам при помощи процесса под названием «биннинг». И не вся память показывает наилучшие результаты. Некоторые чипы хорошо ведут себя на частотах 4000 МГц и выше с низкой CAS-латентностью, а некоторые не работают выше 3000 МГц. Это называется кремниевой лотереей, и именно она повышает цену на высокоскоростные планки.
Но заявленная скорость не обязательно ограничивает реальный потенциал вашей памяти. Скорость XMP – это просто рейтинг, гарантирующий, что планка памяти будет работать на указанной скорости 100% времени. Тут играют большую роль маркетинг и сегментация продуктов, чем ограничения RAM; никто не запрещает вашей памяти работать за пределами спецификаций, просто включить XMP легче, чем разгонять память самому.
Также XMP ограничен определённым набором таймингов. Согласно представителям Kingston, в памяти «настраиваются только ’основные’ тайминги (CL,RCD,RP,RAS)», и поскольку у SPD есть ограниченное место для хранения профилей XMP, всё остальное решает материнская плата, которая не всегда делает верный выбор. В моём случае материнка Asus в режиме «авто» установила очень странные значения некоторых таймингов. Моя планка памяти отказалась работать по умолчанию, пока я не исправил эти тайминги вручную.
Кроме того, биннинг на фабрике жёстко задаёт диапазон напряжения, в котором должна работать память. К примеру, фабрика протестирует память с напряжением в 1,35 В, не будет продолжать тест, если память не покажет максимальных результатов, и даст ей метку «3200 МГц», под которую попадает большинство планок. Но что, если запустить память с напряжением в 1,375 В? А 1,39 В? Эти цифры еще очень далеки от опасных для DDR4 напряжений, но даже небольшой прирост напряжения может помочь значительно увеличить частоту памяти.
Как разгонять память
Самое сложное в разгоне памяти – определить, какие частоты и тайминги нужно использовать, поскольку в BIOS есть более 30 различных настроек. К счастью, четыре из них считаются «основными» таймингами, и их можно подсчитать при помощи программы Ryzen DRAM Calculator. Она предназначена для систем на базе AMD, но будет работать и для пользователей Intel, поскольку в основном предназначена для расчётов таймингов памяти, а не CPU.
Скачайте программу, введите скорость памяти и тип (если он вам неизвестен, то быстрый поиск серийного номера в Google может выдать вам результаты). Нажмите кнопку R-XMP для загрузки спецификаций, и нажмите Calculate SAFE [безопасный вариант] или Calculate FAST [быстрый вариант], чтобы получить новые тайминги.
Эти тайминги можно сравнить с прописанными спецификации при помощи кнопки Compare timings – тогда вы увидите, что на безопасных настройках всё немножечко подкручено, а основная CAS-латентность уменьшена на быстрых настройках. Будут ли у вас работать быстрые настройки – вопрос удачи, поскольку это зависит от конкретной планки, но у вас, вероятно, получится заставить память работать с ними в безопасном диапазоне напряжений.
Скриншот программы лучше отправить на другое устройство, поскольку вам понадобится редактировать настройки таймингов в BIOS компьютера. Затем, когда всё работает, вам нужно будет проверить стабильность разгона при помощи встроенного в калькулятор инструмента. Это процесс долгий, и вы можете прочитать наше руководство по разгону памяти, чтобы узнать все его подробности.
Разгон памяти, против разгона ядер
В прошлой части мы с вами смотрели на то, как стоит для повседневной работы разгонять современные процессоры, и получили прирост на i9 9900k от 2 до 12% в зависимости от задачи повысив TDP с 95 до 145 Ватт.
И закончил я видео сказав, что в тестах я использовал довольно посредственные планки памяти. У них стоял XMP профиль на 3 ГГц не с супер низкими таймингами и тогда же я пообещал, что мы посмотрим — что важнее разгон памяти или разгон ядер.
Само собой в реальности, если хочется увеличить производительность, то надо делать и то и другое.
Но «что будет вносить больший вклад в созданных условиях» — большой вопрос.
Ответить на этот вопрос нам поможет свеженький комплект памяти 2 по 8 Гигов, которые мне предоставила компания патриот.
В память записано два XMP профиля, на 4400 и на 4266 МГц.
Вообще выбирая себе частотные планки стоит понимать, что не любой процессор может потянуть выше 4 ГГц по памяти, кроме того и материнская плата может с этим не справиться. И 4400 могут быть проблемой для всех процессоров кроме двух последних линеек райзенов и то уже с делителем на инфинити фабрик, i9 девятого поколения от intel. а так же процессоров десятого поколения intel. В общем — для этого на плакнах есть профиль на 4266 МГц, который запуститься и на процессорах и материнских платах попроще.
Так же и не любые платы смогут обеспечить стабильную передачу сигнала и автоматический подбор субтаймингов на высокие частоты. У меня в тесте ASUS maximus gene 11. Но покупая частотные планки стоит на сайтах производителей ещё убедиться, что производитель памяти считает вашу плату поддерживаемой для этой памяти.
В общем — на всякий случай я предупредил вас, что частотный XMP профиль — это не гарантия того что он у вас заработает. Но частотный XMP профиль — это гарантия того, что если другие компоненты системы потянут, то память на этой частоте запуститься.
Во второй части видео мы посмотрим на прирост от разгона памяти в сравнении с простым комплектом на 3 ГГц.
За счёт чего происходит разгон памяти?
Но для начала всё же разберемся как вообще разгонять память, естественно, кроме как используя XMP профиль.
Это видео не будет гайдом по разгону. Не думаю, что у меня на это есть достаточно опыта, чтобы делать гайды. Да и в общем-то никаких тайн и секретов нет. Более подробнее практический опыт описан в теме на форуме оверклокерс.ру.
Но всё же общую суть и физику самого процесса я расскажу.
У нас есть глобально три устройства, которые отвечают за реализацию разгона.
Первый — это сама оперативная память.
Второй — контроллер памяти, который в современных процессорах встроен в сам центральный процессор.
Кроме того между этими устройствами есть связи, проходящие через материнскую плату.
И у памяти есть два глобальных параметра.
Первый — это частота, с которой память может работа.
Второй — это скорость исполнения команд самой памяти.
Частоту могут ограничивать все три компонента системы, то есть и сама память и контроллер процессора и не идеальность материнской платы.
А вот скорость обработки команд может ограничивать уже только сама память.
Коротко расскажу, как это всё работает, чтобы вы понимали суть того что мы будем делать при разгоне.
Что такое тайминги памяти, зачем они нужны и какие есть ограничения для их снижения?
Представьте, что вы — это оперативная память. Сами данные хранятся в огромных стеллажах. В этих стеллажах есть полки. На каждой полке много разных книг, в книгах есть страницы, и на этих страницах есть строки. Ваша работа — это получить от начальника информацию о том, что за часть данных нужна, далее определить в каком стеллаже, на какой полке, в какой книге и на какой строке эти данные находятся. Затем подойти к нужному стеллажу и открыть его, там открыть нужную полку, вытащить из этой полки нужную книгу, открыть книгу на нужной странице, найти нужную строку, прочитать её, вернуться к начальнику и сказать ему, что там было записано. Ну либо наоборот — начальник требует записать какую-то информацию, вы должны её записать в свободное место и занести в журнал расположение этой информации, чтобы потом, когда эти данные надо будет прочитать вы могли по этому журналу понять в каком месте эти данные записаны.
В общем — всё просто.
Но сложность в том, что у вас нет собственного мозга для того чтобы делать все действия самостоятельно и слаженно. То есть каждую задачу вы выполняете поэтапно только по требованию начальника. То есть дошли до стеллажа, ждёте команду на открытие этого стеллажа, открыли стеллаж, ждёте команду на открытие полки и т.д. В общем — работник вы так себе.
Но интереснее то, что и начальник не знает успели вы сделать предыдущий этап — или не успели.
То есть вы могли ещё не дойти до нужного стеллажа, а начальник уже скажет вам, что надо открыть определённую полку. Вы, идя к стеллажу, делаете в воздухе движения руками, как будто вы открываете полку на стеллаже, потом уже когда подошли к стеллажу, вам дают команду открыть нужную книгу, вы пытаетесь взять книгу через закрытую полку и т.д. Естественно в таком случае запись или чтение произвести не удаться.
Иными словами — для нормальной работы начальнику нужно заранее знать сколько времени у вас уходит на то, чтобы подойти к стеллажу, открыть полку, и т.д. И при подачи вам команд — засекать время перед подачей новой команды так, чтобы вы и долго не простаивали и так, чтобы вы успевали выполнить прошлую команду, то есть в идеале надо практически мгновенно после выполнения прошлой команды получали следующую.
В общем-то разгон памяти и заключается в том, чтобы организовать работу памяти так, чтобы все простои между подачей команд памяти сделать такими, чтобы минимизировать простои.
У оперативной памяти внутренняя иерархия по сути такая же как и в моём примере.
И памяти надо по очереди активировать на пути к нужным данным все эти уровни по очереди один за другим. И на каждом из уровней активация занимает какое-то время для прохождения физических процессов, в основном это накопление нужного заряда до рабочих значений напряжений. То есть в моем примере вы физически ходили, а в реальности — это накопление необходимого заряда до рабочих значений. Из-за которых между командами нужно отступать временные отрезки.
А время между подачей определённых команд называется таймингами.
Правда тайминги эти указываются не в секундах, а вернее в наносекундах, а указываются они в количестве тактов.
То есть, допустим. на частоте выдачи команд 1 МГц — тайминг “единица” — это 1 миллионная секунды.
тайминг — “двойка” — это две миллионные секунды.
А допустим на частоте 2 МГц тайминг “единица”, — это половина миллионной секунды, а тайминг двойка — это одна миллионная секунды.
То есть на частоте 1 МГц тайминг единица — равен таймингу двойка на частоте 2 МГц.
Собственно — разгон памяти без изменения напряжения на память не позволяет ускорять переходные процессы в памяти.
Поэтому с ростом частоты — приходится пропорционально увеличивать и задержки, то есть тайминги.
И, допустим, если вы подобрали минимальные тайминги на частоту 2 ГГц, то в идеальном мире вы можете взять частоту 4 ГГц просто увеличив тайминги в два раза.
Но увеличив частоту — мы получаем два бонуса — первый бонус заключается в том, что память, на самом деле, работает параллельно с несколькими банками и ранками, то есть может не снимать питание с определённых участков, так что часть команд можно будет пропускать при обращениях к недавно задействованным элементам, и тут уже важнее становиться теоретическая возможность каждый такт передавать целевую информацию. И если частота выросла в два раза — то можно передать целевой информации в два раза больше. В идеальном мире, конечно, на практике — задержки и сложная иерархия памяти такое не позволяет реализовывать в полной мере.
А второй бонус — что у нас снижается дискретизация времени между соседними значениями тайминга.
Допустим если на частоте 1 МГц между таймингом 1 и 2 разница 1 миллионная секунды, то на частоте 2 МГц — разница между таймингом 1 и 2 — половина миллионной секунды.
И если переходной процесс занимал в реальности полторы миллионных секунды, то на частоте 1 МГц нужен будет тайминг — 2, потому что с единицей работать не будет, тогда как на 2 МГц — нужен будет тайминг 3, который и даст необходимые для ожидания полторы миллисекунды.
То есть из-за увеличения разрешающей способности таймингов — можно ближе подобраться к минимальному времени рабочих задержек.
То есть выжить все соки из скорости памяти более качественно.
На практике всё, конечно, не так радужно. Память при приближении к её предельным рабочим частотам перестаёт быть на 100% отзывчивой, и к максимальной частоте — реальные тайминги, выраженные в наносекундах начинают уже увеличиваться, то есть увеличение таймингов к частоте перестаёт быть зависимыми.
И задача разгона — найти ту частоту — в которой эта зависимость ещё сохраняется и уже тонко подстроить все тайминги так, чтобы между командами память не простаивала более, чем нужно для протекания переходных процессов.
Ну, и, конечно, переходные процессы можно ускорить.
Исходя их природы этих процессов — то есть процессов зарядки и разрядки — очевидно, что увеличив напряжение питания — эти процессы начинают протекать быстрее.
То есть увеличивая напряжения — можно добиться того, что память начнёт нормально работать на меньших значениях таймингов при той же частоте.
Алгоритм действий, который я рекомендую для разгона памяти
В общем — подводя итоги по тому что надо сделать для разгона.
Первое — это изначально выбрать напряжение для памяти. Напряжение это зависит от радиаторов памяти и ваших собственных ограничений по тому сколько вы готовы набрасывать.
У меня память с толстыми радиаторами и оребрением, которое позволяет увеличить площадь теплоотвода, плюс довольно холодная 20нм память от Samsung. И для этих планок я выбрал безопасным напряжение 1,52 Вольта. При которых память не будет у меня вне корпуса греться выше 50 градусов. В корпусе, это было бы несколько выше, но в целом — до 60-65 градусов на чипах — память ещё не начинает терять в скорости переходных процессов. Но надо помнить, что с ростом температуры — потери стабильности есть, так что на планках под приличный разгон — радиаторы нужны не только для красоты. Тут радиаторы достаточно эффективные для напряжений выше рекомендуемых.
Но ставить сразу то напряжение, которые вы хотите получить я не рекомендую. Так например я в процессе разгона ставил 1,5 Вольта, чтобы потом чуть-чуть набросить напряжение для стабильности.
Если у вас горячие чипы или тонкие радиаторы — то ваш предел по напряжению будет на DDR4 между 1,35 и 1,4 Вольта.
Далее задача — на любой частоте подобрать основные тайминги, оставив субтайминги на значении авто (на высоких частотах памяти материснкие платы могут ставить «авто» не верные значения, так что этот метод для типичных частот для вашей платформы). Понятное дело, что чем ближе будет частота к будущей целевой, тем быстрее будет пройден весь разгон.. Подбор основных таймингов довольно простое занятие. Снижаете их по одному пока снижение каждого из них не приведёт к тому что в программе test Mem не начнут возникать ошибки. И постепенно увеличиваете частоту, меняя тайминги пропорционально частоте. Это можно пропорциями считать и вручную, можно и в икселе например. Опять же — в теме на ру оверах есть в шапке темы ссылки на экселевские файлы, где есть пересчитывалка таймингов при смене частоты. И так увеличиваете частоту пока линейное приращение таймингов к росту частоты продолжает работать. Как только линейное приращение работать перестаёт — значит вы достигли той частоты, на которой лучше всего будет показывать себя память и именно на ней следует уже вручную крутить остальные тайминги и субтайминги.
Касаемо intel. На процессорах 6 и 7 поколения надо уже с частоты памяти 3700-3800 МГц задавать два дополнительных напряжения в ручную. Это напряжение — на контроллер памяти, оно же Vccio, то есть ту штуку, которая отвечает за передачу команд памяти и отправку и принятие данных, а так же напряжение на системный агент (SA), это внеядерная часть процессора, в которую входит в том числе и контроллер памяти.
На частотах ниже 4 ГГц обычно эти напряжения не будут превышать 1,2 Вольта, и как правило это чуть выше стоковых 1,05 Вольта бывает, и надо их задавать вручную чтобы материнские платы не задирали эти напряжения к полутора вольтам. В общем-то активируя и высокочастотные XMP профили тоже стоит смотреть на то, что материнские платы набрасывают на агент и контроллер памяти.
С райзенами — тут я, к сожалению, опыта большого не имею, так как последний процессор у меня был 2400 G, где памятью удалось очень сильно поднять производительность встройки.
На intel же проблемы с контроллером память начинаются, в зависимости от поколений и удачности конкретного экземпляра процессора на частотах от 4 до 4,5 ГГц. У меня процессор не самый удачный в части контроллера и мне, например, для 4,4 ГГц нужно напряжение уже почти 1,3 Вольта на контроллер, что многовато. Строго не рекомендуется установка напряжений на эти два компонента выше 1,35 Вольта.
Но в любом случае — предельно низкое напряжение контроллера и агента ставить надо уже после разгона, то есть в процессе разгона — выставлять надо избыточные значения этих напряжений чтобы точно ограничивать разгон не контроллером процессора, а самой памятью.
И, что касается, программы тест мем, она контролер нагружает очень слабо. То есть недостаток по напряжению на контроллер и агент эта программа надёжно оттестировать не может.
Что касается субтаймингов. Тут сложность в том, что это значения друг от друга зависимые. То есть нельзя снижать их по одному по очереди, как основные тайминги. Надо применять сразу целый пакет настроек. То есть менять сразу много.
Для райзенов есть программа райзен DRAM калькулятор, где собраны уже подходящие конфигурации под разные ревизии памяти, от которых и можно будет начинать разгон, для Intel есть экселевские считалки субтаймингов. Либо вы можете просто в самой теме шариться, пока не найдёте скрины человека с памятью, как у вас и с основными таймингами похожими на те, что смогла выжать ваша память. И просто содрать значения субтаймингов с чужого скриншота. Собственно — тема со скринами на ру овере и результатами — для того там и нужна.
В этом деле мне лично вспоминается таблица изотопов химических элементов в которой есть так называемый остров стабильности, для которого предсказано существование новых химических элементов.
Так вот — используя программы или таблицы для расчётов субтаймингов ваша задача попасть в этот остров стабильности для вашей памяти.
И как только вы в этот остров стабильности попали начинать снижать субтайминги вручную контролируя нормальную работу памяти не только по тест мему, но и используя тест скорости памяти в AIDA64 и я ещё использую тест производительности в Win-rar, он очень чувствителен к задержкам памяти. В теории — чем ниже субтайминги — тем лучше. Но в целом — иногда возникают какие-то конфликтные сочетания субтаймингов, так как они друг от друга зависимые и скорость работы памяти падает без потери стабильности.
Вообще менять вручную все субтайминги и не надо.
Для начала — половина субтаймингов — это ожидания для переключения между планками памяти и между ранками памяти. Это субтайминги с буквами DD и DR в названии.
Допустим, если у вас по одной планке на канал и сами планки одноранковые, то в эти субтайминги можно ставить что угодно. Можете хоть ноль, хоть своё любимое число. На работу компьютера это влиять никак не будет. Естественно можно оставить и на авто.
И процесс разгона памяти — очень приятен на хороших платах, которые не тупят когда виснут, а при поиске предела — синьки, и стопорение на инициализации компьютера при перезагрузках будут частыми гостями.
Поэтому после каждого изменения надо делать тесты стабильности, и постоянно сохранять текущий стабильный профиль разгона памяти.
Если нет планов получить, так скажем, последние пол процента производительности, то из субтаймингов на intel надо менять только эти: tRRDL tRRDS tRFC tREFI tWR tRTP tFAW. При этом не все являются зависимыми, так что, например, tRFC и tREFI (единственный в котором «больше-лучше») можно менять так же произвольно как и основные тайминги просто до сохранения стабильности.
Кроме того, если будите использовать тот же конфигурационный файл для тест мема, что и у меня, то в первой партии настроек сразу урезайте tFAW. Его по дефолту материнские платы на высоких частотах ставят за 50, а рабочие значения всегда ниже 20. И уменьшение этого значения сильно уменьшает время прогона тест мема. Он проходится быстрее процентов на 30, что в масштабах всего разгона памяти может выйти в экономия часа времени, а то и больше.
Возвращаясь к длительности разгона: в процессе его осуществления вы нащупаете такие значения, что вот почти есть стабильность, всё работает, но вот чуть-чуть бы ещё стабильности и ошибок не будет, а в остальном и так всё работает и в играх и в программах. Именно для этого я ранее писал, что надо ставить напряжение, чуть ниже, чем финальное. 10-20 милливольт в последствии и дадут вам эту недостающую стабильность и вам не придётся скидывать на единицу в том числе и основные тайминги.
Ну и приятная часть разгона заключается в том, что тепловыделение системы практически не меняется, а производительность начинает расти.
Результаты
На этом мы переходим к практической части разгона и посмотрим на полученные результаты.
К сожалению — полученные в прошлой части 5,2 Адаптив модом с офсетом с разгоном памяти стали нестабильными на том же напряжении, всё же — более плотная нагрузка на процессор из-за меньших простоёв с быстрой памятью сказывается на сложности работы процессора. Конечно 5,2 Всё ещё можно получить, но на более высоких напряжениях и для той же производительности с большим теплопакетом, что нарушает логику разгона на постоянку.
Так что всё переигрываем на 5,1 ГГц. Естественно с тем же теплопакетом в 145 Ватт.
То есть от стока система так и будет отличаться на 50 Ватт, как и в прошлой части.
Получается систем будет 4.
Первая — сток процессор, память XMP профиль на 3000 МГц.
Вторая система — процессор разгон — память такая же на 3000 МГц.
Третья система — процессор разогнан память XMP профиль на 4400 МГц на новом комплекте памяти
И четвёртая система — процессор разогнан, память в максимальном разгоне, что вышел для этих планок, и вышел он на частоте 4266 МГц.
Что касается тестов в играх — тут есть некоторые сложности. Я тестирую игры с максимальными настройками, но без сглаживания и в сниженном разрешении, если это требуется для тестов процессора, чтобы избавиться от упора в видеокарту RTX 2070. И из теста выбывает игра The Division 2, так как с разгоном памяти система слишком производительная и без снижения настроек графики ибавиться от упора в видеокарту не получается даже на разрешении 1024х768 с половинным масштабом разрешения. Так же есть подозрения что в игре Shadow of the Tomb Raider в некоторые моменты так же с разгоном памяти система ограничивалась видеокартой.
Перед играми ещё раз посмотрим на бенчмарки.
Для начала тесты в AIDA64.
Память 3000 МГц в стоке процессора.
Скорость и чтение около 45000 МБ/с, задержки 48 наносекунд.
С разгоном процессора, напомню, ещё разгонял я и кольцевую шину и кеш, что так же ускоряет и реальную скорость работы памяти.
Прибавилось примерно по 1000 МБ/с и немного уменьшились задержки памяти.
XMP профиль на 4400 МГц на разогнанном процессоре дают уже под 60000 МБ/с и задержки снизились до 43 нс.
Ну и последний профиль — с ручным разгоном на частоте 4266 МГц с подбором некоторых субтаймингов.
Добавилось ещё около 3-х тысяч МБ/с, задержка упала ниже 40 нс.
Его бенчмарк очень любит низкие задержки памяти.
Разгон процессора дал прирост около 5%.
Смена памяти с 3 до 4,4 ГГц дала ещё 1,5% пророста.
Ручной подбор субтаймингов и таймингов на частоте 4266 МГц памяти позволил увеличить производительность в сравнении со стоком на без малого 20%.
Возникает закономерный вопрос — почему же такой слабый прирост от смены памяти и такой большой от подбора субтаймингов, да ещё и на более низкой частоте памяти.
Причин тут несколько.
Во первых — естественно ручной разгон памяти позволяет более качественно получить потенциал памяти.
А причина низкого прироста от смены памяти заключается в том, что мне пришлось сильно повысить энергопотребление процессора из-за высоких напряжений на агент и контроллер памяти. А, напомню, что разгоняли мы процессор существенно ограничивая его TDP, в общем-то в этом и был смысл видео про разгон на постоянку. То есть часть ограниченного TDP отъел контроллер памяти, ну и, конечно, с более быстрой памятью процессор на той же частоте начинает потреблять больше энергии в силу уменьшения простоев процессора в ожидании данных — собственно, что и является причиной роста производительности.
При этом мой процессор может с памятью на 4266 МГц работать по напряжению на контроллер почти как у стока, а на 4400 на уже высоких напряжениях. В общем — причина тут не в памяти как таковой, а в ограниченном условиями тестов TDP, и то что этот TDP отбирает контроллер в процессоре.
Более показателен был, например, 3D Mark TS. И, кстати, в этом этот бенчмарк ещё и показывает, что хоть он и имитирует игровую нагрузку, но всё же — он далёк от реальных задач.
В CPU тесте от смены памяти на более производительную с XMP профилем на 4400 МГц производительность вообще упала.
В традиционном разгоне с фиксацией частот, такого эффекта, конечно не будет. Но у нас сейчас именно такие условия.
С ручным разгоном памяти в сравнении со стоком я получил прирост в 13%.
Результаты в играх
Я уже ранее писал, что есть неуверенность относительно Shadow of the Tomb Raider. Но даже с возможными временными ограничениями в видеокарту просто разгон процессора дал прирост в примерно в 6%, а разгон и ядер и памяти дал прирост в 18%.
Ну и тут уже при росте TDP процессора на 40% — прирост производительности на 18% — это уже приличный результат.
Другие игры рассмотрим уже более детально.
World War Z. Просто разгон ядер дал прирост около 6%. Разгон со сменой памяти на быструю увеличил прирост до почти 9%.
А ручной разгон памяти приводит уже к росту от стока чуть более чем на 19,5%.
Тут стоит пристально обратить внимание на график времени кадра.
Видно, что несмотря на то, что синхронизация отключена — вывод кадров происходит с дискретным времением, что также могло сказаться на результатах, то есть простая смена памяти не позволила достаточно часто перескакивать на более низкий уровень времени кадра, а ручной разгон — позволял.
С этим связано столь нелинейное изменение производительности от дополнительного разгона памяти.
Если посмотреть на графики распределения времени кадра, то на них тоже видно неестественные для этого графика ступеньки.
Напомню что этот график рассказывает о том как часто какие по длительности кадры встречаются в тесте.
Ну и так же — многие любят значения меньших 1 или 5% (они же 99%, 95%).
В этом графике вы можете получить любые значения для любых этих процентилей, а 50% — это медианное значение.
Но тут, в связи с особенностями игры, эти графики несколько не способны отражать реальность.
И последняя игра в тесте — Far Cry 5.
Просто разгон процессора позволил получить примерно +3,5% прироста, смена памяти увеличила этот прирост до чуть более чем 8%, а ручной разгон памяти позволил увеличить эту цифру до почти 16,5%.
График распределения тут показывает, что в целом, на большей части значений мгновенных FPS смена памяти на ту что с профилем на 4400 МГц позволила добиться прироста сопоставимого с разгоном ядер, и только в области высоких FPS — разгон памяти оказывает большее влияние, чем разгон ядер.
Ручной разгон памяти — позволил добиться существенного роста производительности в сравнении с остальными тестами.
Итоги
Во первых — естественно при разгоне гнать надо всё.
Но разгон памяти при этом — более безвреден в части энергоэффективности системы.
В прошлой части — увеличив энергопотребление системы я получил прирост от 2-х до 12% в зависимости от задачи.
Сейчас же, разгоняя и память и ядра получил при том же росте потребления на 50% прирост производительности от 10 до 20% в зависимости от задачи.
Ну и в целом, учитывая, что 50% прироста тепловыделения — это не плюс 200-300 Ватт ко всей системе, а плюс 50 Ватт — прирост в 10-20% выглядит вполне эффективным и в части энергоэффективности, безусловно, разгон памяти существенно более предпочтителен, чем разгон ядер, а в части абсолютного прироста — разгон ядер и памяти на i9 9900k вышли примерно равнозначными и в одних задачах больший эффект дал разгон ядер, а в других, в частности в играх — разгон памяти. Если говорить только про игры, то конечно, в реалиях когда процессоры уже с завода выходят практически без возможности разгона, да ещё и с большим числом ядер всего на два канала памяти — разгон памяти играет большую роль, чем разгон ядер.
В целом — если говорить про стоковые планки DDR4, то полученные планки в разгоне примерно достигли скорости работы 4-х канальной памяти всего на двух каналах. 16 ядерные райзены частично спасает большой кеш, если говорить про два канала памяти, но всё равно и на 16 ядер на райзене и на 8 или 10 в intel — два канала памяти — это очень мало. Отсюда и прирост на 20% в некоторых задачах.
Ну и в данном тесте были планки с чипами от самсунг B-Die. Это лучшие чипы на DDR4 памяти. И тут я предлагаю поднять вопрос — а на сколько один B-Die может отличаться от другого. Например у меня в материнской плате есть пресеты настроек под B-Die, есть настройки в райзен DRAM калькуляторе под B-Die. Но никогда лично мне ничего из этого готового не подходило. Сейчас же у меня есть 3 комплекта би дай памяти одноранковой 2 модуля по 8 гигов.
И скажу, что этот комплект от патриот намного лучше моего первого комплекта.
А есть у меня ещё и третий комплект, который я недавно купил.
В общем — имеется возможность узнать — насколько высок разброс B-Die, который я покажу в одной из будущих статей.
Источник https://habr.com/ru/articles/469869/
Источник https://pc-01.tech/ram-overcloc/